STL18N60M2

功能描述:MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT

制造商:stmicroelectronics

系列:MDmesh? II Plus

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):308 毫欧 @ 4.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):791pF @ 100V

功率 - 最大值:57W

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:*

封装/外壳:4-PowerFlat? HV

供应商器件封装:PowerFlat?(5x6)

标准包装:1

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